模拟电子技术期末考试试卷及答案

《电工电子技术基础》期末考试试卷 (闭 卷)

题号 得分 评卷 一 40 二 10 三 10 四 10 五 15 六 15 七 八 总分 100 一、填空题（每空1分，共40分） 1、交流电的电流或电压在变化过程中的任一瞬间，都有确定的大小和方向，叫做交流电该时刻的 ，分别用小写字母 表示。 装 订 线 2、数字电路中只有 和 两个数码。 3、三相电源的中线一般是接地的，所以中线又称__ ___线。三相电源三相绕组的首端引出的三根导线叫做___ __线。 4、(1011)2 = ( )10。 5、电容和电阻都是电路中的基本元件，但它们在电路中所起的作用却是不同的，从能量上看，电容是_ ____元件，电阻是__ ____元件。 6、为了反映功率利用率把有功功率和视在功率的比值叫 。 7、正弦交流电的三要素是 、 和 。 8、实际电压源总有内

( 密 封 线 内 不 答 题 ) …………………………………………………密………………………………………………封………………………………………线………………………………深圳大学期末考试试卷

开/闭卷 课程编号 命题人(签字) 审题人(签字) 年 月 日 题号 得分 评卷人 闭卷

2213990901~8

A/B卷

课程名称

模拟电路

A 3-1

学分

学院 专业 姓名 学号 座号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 基本题总分 附加题 一、 简答题（20分）

1、设晶体三极管在信号周期T内的导电时间为t，试写出甲类、乙类和甲乙类三种功放电路的t与T的关系。

2、直流电源通常由哪几部分组成，并说明各部分的作用。

3、放大电路的电压放大倍数增益的模值在高频段和低频段分别产生什么变化？各由何种电容影响？

4、为什么场效应管称为单极性

2007—2008学年度第1学期模拟考试试卷（C卷）

开课学院：理学院 课程名称：光电子技术 考试形式：闭卷 所需时间：120分钟

题号 一 二 三 四 五 六 七 八 总 分 得分 评卷人 注意事项：1、教师出题时请勿超出边界虚线；

2、学生答题前将密封线外的内容填写清楚，答题不得超出密封线； 3、答题请用蓝、黑钢笔或圆珠笔。

一、填空题（50分，每小题5分）

1、光是一种以光速运动的光子流，光子和其它基本粒子一样，具有 、 和质量；其静止质量为 。 。 2、激光与普通光源相比具有如下明显的特点： 。 3、光波在大气中传播时，由于 会引起光束的能量衰减；由于

电力电子技术试题

第1章 电力电子器件

1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 3.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 4.电力二极管的工作特性可概括为_正向电压导通，反相电压截止_。

5.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 6.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 7.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

8.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

9.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

10.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、

电力电子技术试题

第1章 电力电子器件

1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 3.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 4.电力二极管的工作特性可概括为_正向电压导通，反相电压截止_。

5.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 6.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 7.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

8.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

9.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

10.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、

电力电子技术试题

第1章 电力电子器件

1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。

3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于IH。

10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_小于__Ubo。 12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的

_______期日______ _名___签__任__主__室__研_教名课姓 任 _ _ ____________名__签__员_教号题学 出 _ ________________员__教_课次任班学 __教_ _ _ _ _ _ ______________次__班_核别考队 ______数人核考南京信息工程大学2011-2012学年第二学期《模拟电子技术基础》期末考试试卷

5. 试根据图示的反馈放大电路，试选择正确答案填空：

… 南京信息工程大学1）若R7增大，则________。(A、交流负反馈增强， B、交流负反馈减弱， C、不影响反馈………《模拟电子技术基础》期末考试试卷(A卷)

深度， D、使静态工作点不稳定)

2）在正常放大条件下，若R4增大，则_________。( A、电压放大倍数增大， B、电压放大倍………

数减小， C、电压放大倍数变化不大)

……题 目 一 二 三 总 分 核分人 复查人 ……得分 ……题目部分（卷面共3大题，26小题，100分，各大题标有题量和总分）

……线评卷人 得分

…… 一、选择题（10小题，共20分）

…… ……1．直接耦合与变压器耦合多级放大电路之间主要

2006~2007学年 第1学期 建环05级 电工与电子学试题A

任课 教师 题号 得分 一 二 教研室 主任签名 三 四 五 教学院长 签名 六 七 八 合计 成 绩 统 计 表 阅卷人 专业班级____________ 考生姓名：____________ 学 号_______

请将选择题答案填入下表： 选择 答案 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 一． 选择（20分、2分/题）

1．变压器降压使用时，能输出较大的____b_____。 A、功率

B、电流

C、电能

D、电功

2．三相异步电动机旋转磁场的旋转方向是由三相电源的________b_决定。 A、相位 B、相序

C、频率

D、相位角

3．电气控制线路原理图中，触头的位置是处于______a___。 A、未通电状态

B、通电状态

C、根据情况确定状态

4．为保证机床操作者的安全，机床照明灯的电压应选____d_____。 A、380V B、220V C、110V D、36V以下 5．关于提高功率因数的说法，正确的是 （ c ）

风冈县中等职业技术学校 模拟电子技术试卷十

模拟电子技术测验 试卷十

班级：___________姓名：___________学号：___________

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分)

（1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度

D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管

① ③

D.PNP型硅管 －2V ② －2.2V (4 )温度上升时，半导体三极管的( ) －8V A.β和ICEO增大，uBE下降

图1

B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小，ICEO和uBE增大 D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.

风冈县中等职业技术学校 模拟电子技术试卷十

模拟电子技术测验 试卷十

班级：___________姓名：___________学号：___________

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分)

（1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度

D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管

① ③

D.PNP型硅管 －2V ② －2.2V (4 )温度上升时，半导体三极管的( ) －8V A.β和ICEO增大，uBE下降

图1

B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小，ICEO和uBE增大 D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.