武汉科技大学模拟电子技术试卷A卷（10级自动化）

试 题 _ 2011 _年~__2012__年第 1 学期 课程名称： 模拟电子技术 专业年级： 自动化10级 考生学号： 考生姓名： 试卷类型： A卷 ■ B卷 □ 考试方式: 开卷 □ 闭卷 ■ ……………………………………………………………………………………………………… 一、单项选择题。（将正确答案填入空内；每空2分，共20分) 1、多级直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重的一级是（ ）。 A．输入级 B．增益最高的一级 C．输出级 2、差分放大电路中，当vi1?300mV，vi2?200mV时，差模信号vid?（ ）。 A．50mV B．100mV C．250mV 3、为了减小放大电路的输入电阻并稳定输出电流，则应在放大电路中引入（ ）。 A．电流并联负反馈 B．电流串联负反馈 C．电压串联负反馈 4、在图1所示电路中，设运算放大器是理想器件，输出电压约为（ ）。 A．─7.5 V B．─3.75V C．─2.5 V 图1 图2 5、NPN管单级基本共发射极放大电路输出电压的波形如图2所示，此电路产生了（ ） A．截止失真 B．饱和失真 C．交越失真 6、与甲类功率放大方式比较，乙类OCL互补对称功率放大方式的主要优点是（ ）。 A．不用输出变压器 B．不用输出端大电容 C．效率高 7、二极管电路如图3所示，两个二极管的工作状态是（ ） A．D1、D2均导通 B．D1导通，D2截止 C．D1截止，D2导通 图3 图4 注：1、教师命题时题目之间不留空白； 2、考生不得在试题纸上答题，教师只批阅答题册正面部分，若考生须在试题图上作解答，请另附该试题图。3、请在试卷类型、考试方式后打勾注明。

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8、图4所示电路，已知三极管的UBE?0.7V，??50，则静态工作点为（ ） A．IB?54μ4，IC?2.7mA，UCE?3.46V B．IB?60μ0，IC?3mA，UCE?3V C．IB?50μ0，IC?2.5mA，UCE?4.5V 9、在整流电路中，设整流电路的输出电流平均值为Io，如果流过每只二极管的电流平均值ID?Io/2，每只二极管的最高反压为2U，则这种电路是（ ） A．单相桥式整流电路 B．单相全波整流电路 C．单相半波整流电路 10、一个负反馈电路其开环放大倍数A=1000，其变化率为+10%。若要求引入负反馈后闭环放大倍数的变化率为+0.1%，则反馈系数为（ ） A．0.099 B．0.1 C．0.01 二、填空题。(每空1分，共20分) 1、晶体管T各电极的对地电位如图5所示，则晶体管处于 状态。 图5 2、幅度失真和相位失真统称为_ _ _，它们属于 失真。 3、对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电压增益高并且输出电压信号和输入电压信号反相，可选用 组态；若希望带负载能力强，应选用 组态；若希望高频性能好，应选用 组态。 4、负反馈放大电路产生自激振荡的条件是 。 5、由于在功率放大电路中，功放管常常处于极限工作状态，因此，在选择功放管时要特别注意 、 和 三个参数。 6、工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路的运放的主要区别是，前者通常工作 在 区；后者通常工作在 区，因此，它的输出一般只有高电平和低电平两个稳定状态。 7、某差动放大电路单端输出的差模电压增益AVD1=-1000，共模电压增益AVC=-1，vi1?5mV,vi2?1mV，则其共模抑制比KCMR= dB；单端输出vo1? 伏。 8、三级放大电路中，AV1?AV2?20dB，AV3?40dB，则总的电压增益为 dB，电路将电压信号放大了 倍。 9、在RC桥式正弦波振荡电路中，若RC串并联选频网络中的电阻均为R，电容均为C，注：1、教师命题时题目之间不留空白； 2、考生不得在试题纸上答题，教师只批阅答题册正面部分，若考生须在试题图上作解答，请另附该试题图。3、请在试卷类型、考试方式后打勾注明。

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则其振荡频率f0? ；振荡角频率?0? 。 图6 图7 10、功率放大电路如图6所示，电路中D1和D2的作用是消除 。 11、某场效应管的转移特性曲线如图7所示，则该管为 。 三、（10分）在图8所示电路中，已知电源电压VCC?12V，晶体管的rbb??200?，??100，VBE?0.7V。求： （1）若要求静态ICQ?2mA，VCEQ?7V，则Rb及RC的取值应为多少？ （2）计算三极管的输入电阻rbe； （3）计算电压增益AV和输入电阻Ri。 图8 图9 四、（10分）场效应管放大电路如图9所示，设已知管子的参数gm，求： （1）场效应管的名称；（2）写出电压增益Av的表达式； （3）写出输入电阻Ri和输出电阻Ro的表达式。 五、（10分）电路如图10所示，已知：UI为桥式整流电容滤波后的输出电压，UI =24V，UZ?6V，R1?2k?，R2?1k?，Rp?1k?，求：（1）该电路由几部分组成？（2）输出电压UO的范围。 图10 注：1、教师命题时题目之间不留空白； 2、考生不得在试题纸上答题，教师只批阅答题册正面部分，若考生须在试题图上作解答，请另附该试题图。3、请在试卷类型、考试方式后打勾注明。

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六、（10分）在图11所示运算电路中，RF?2R1?20k?,C?100μF，求：（1）输出电压u0的表达式。（2）若运放的UOPP??10V, 当输入ui?1V时，须经过多长时间，u0达到饱和值？ 图11 七、（10分）电路如图12所示，A1、A2为理想运放。 （1）为使电路满足起振的幅值条件，Rf应如何选择？ （2）为使电路产生1000Hz的正弦波振荡，R应该选多大？ （3）若vo1的峰值等于5V，试对应画出vo1和vo2的波形图，并标明它们的幅值。 图12 八、（10分）电路如图13所示，A1、A2为理想运放。求： 图13 （1）极间反馈的类型；（2）设该反馈为深度负反馈，Avf?vov；（3）断开Rf；Av?o?? vivi注：1、教师命题时题目之间不留空白； 2、考生不得在试题纸上答题，教师只批阅答题册正面部分，若考生须在试题

图上作解答，请另附该试题图。3、请在试卷类型、考试方式后打勾注明。

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参考答案及评分标准 一、单项选择题。（每空2分，共20分) 1．A、2．B、3．A、4．C、5．B、6．C、7．B、8．A、9．A、10．A。 二、(每空1分，共20分) 1．放大、2．频率失真；线性、3．共射；共集；共基、4．AF??1、5．ICM;PCM;U(BR)CEO、6．非线性区；线性区、7．60；-4003mV、8．80；104、9．11．P沟道增强型MOSFET。 三、解：（1）Rb?565K?,Rc?2.5K?(4分) （2）rbe?rbb'?(1??)26?1.5k?(2分) IE11；、10．交越失真、2?RCRC （3）Av???RC??166.7,Ri?Rb//rbe?1.5k?（4分） rbe四、解：（1）N沟道增强型MOSFET，（3分） （2）Av?gm(RL//RS)，（3分） 1?gm(RL//RS)1（4分） gm （3）Ri?Rg1//Rg2?Rgs,Ro?RS//五、解：（1）基准；取样电路；比较放大；调整管，（4分） （2）UO的范围：12V~24V。（6分） 六、解：（1）uo??RF1ui?uidt??2ui??uidt（6分） ?R1R1CF （2）t=8S，uO=-10V，达到饱和值。（4分） 七、解：（1）Rf?40k?;（2分）（2）R?1.59k?；（2分） （3）VT??3V;VT???3V;（2分） 注：1、教师命题时题目之间不留空白； 2、考生不得在试题纸上答题，教师只批阅答题册正面部分，若考生须在试题

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（4分）八、解：（1）电压串联负反馈；（3分） （2）Avf=11（4分） （3）vo1??20vi;vo2??10vo1?200vi;Av?200，（3分） 注：1、教师命题时题目之间不留空白； 2、考生不得在试题纸上答题，教师只批阅答题册正面部分，若考生须在试题图上作解答，请另附该试题图。3、请在试卷类型、考试方式后打勾注明。

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