通过JTAG口对DSP外部Flash存储器的在线编程
更新时间:2023-05-02 12:50:01 阅读量: 实用文档 文档下载
通过JTAG口对DSP外部Flash存储器的在
线编程
通过JTAG口对DSP外部Flash存储器的在线编程
摘要:采用一种简单可行的方法,在TI公司TMS320C6XDSP 集成开发环境CCS2.0下,通过JTAG口实现对DSP外部Flash可擦写存储器的在线编程;将用户数据文件烧写到DSP的外部Flash 中,并在TMS320C6711DSP板上多次测试通过。关键词:嵌入式系统DSPFlashJTAG在线编程CCS2.0 引言在采用TI数字信号处理器(DSP)的嵌放式硬件系统开发完成,软件也有CCS2.0集成开发环境下仿真测试通过后,怎样将编译、链接后生成的可执行文件(.Out),经过转换后的十六进制文件
(.Hex)写入硬件系统的Flash存储器中,让系统脱机运行,这是许多DSP开发人员及初学者遇到并需要解决的问题。
从JTAG接口对DSP外部Flash的编程方法不只一种。本文以TMS320C6711-150DSK板为例,介绍“在线仿真状态下”对Flash 的编程。1Flash存储器的擦除Flash编程之前,应对Flash进行擦除,使其每个数据位都恢复为1状态,即全FF状态。对Flash的擦除操作需要6个总线周期,总线时序如图1。从图1可知,各总线周期的操作为:第一总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H;第
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二总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H;
第三总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据80H;
第四总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据AAH;
第五总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H;
第六总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据10H。
完成上述操作后,Flash存储器被完全擦除,内部数据恢复为初始状态,全为FFH。在TMS320C6711中,用C语言完成上述操作为:voiderase_flash()
{ *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x00aa;
*(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR2=0x0055;
*(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x0080;
*(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x00aa;
*(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR2=0x0055;
*(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x0010;}
在TMS320C6711系统中,Flash所在地址段为CE1空间,其开始地址为0x90000000。这样,其中的FLASH_ADR1、FLASH_ADR2在头文件中被定义为:#defineFLASH_ADR10x90005555
#defineFLASH_ADR20x90002AAA 需要说明的是,在对Flash进行擦除时,应对DSP及EMIF外存储器接口进行初始化,CE1空间定义为8位读写模式。初始化函数如下:
voidc6x11_dsk_init(){/*DSP和EMIF初始化*/
CSR=0x100;/*禁止所有中断*/ IER=1;/*禁止除NMI外的
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所有中断*/ ICR=0xffff;/*清除所有未完成的中断*/
*(unsignedvolatileint*)EMIF_GCR=0x3300 ; *(unsignedvolatileint*)EMIF_CE0=0x30;
*(unsignedvolatileint*)EMIF_CE1=0xffffff03;
*(unsignedvolatileint*)EMIF_SDCTRL=0x07227000;
*(unsignedvolatileint*)EMIF_SDRP=0x61a;
*(unsignedvolatileint*)EMIF_SDEXT=0x54529; }
2Flash存储器的编程对Flash存储器进行字节编程之前,需要对它进行3个周期的编程指令操作,总线时序如图2。
从图2可知,各总线周期的操作如下:第一总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据AAH;第二总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H;第三总线周期——向5555H地址的.存储单元写入数据A0H;第四总线周期——向地址的存储单元写入编程数据;……
在TMS320C6711中,用C语言完成上述操作为:/*---------------------------------------------------------------------*/ /*入口参数:pattern[]:数组,用于存储编程数据*/ */start_address:所要编程的起始地址指针*/ /*page_size:所要编程的Flash的页面尺寸*/ /*出口参数:无*/ /*---------------------------------------------------------------------*/
voidflash_page_prog(unsignedcharpattern[],unsignedvolatil
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echar*start_address,intpage_size){ volatileinti; unsignedvolatilechar*flash_ptr=start_address;
*(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=FLASH_KEY1;
*(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR2=FLASH_KEY2;
*(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=FLASH_KEY3;
for(i=0;i<page_size;i++)
*flash_ptr++=pattern[i]; } 其中,
FLASH_KEY1、FLASH_KEY2、FLASH_KEY3的定义如下:
#defineFLASH_KEY10xAA #defineFLASH_KEY20x55
#defineFLASH_KEY30xA0 3校验和的计算与编程原理
(1)校验和的计算在程序中,应对Flash编程的正确性进行自动检查,把编程前数据的校验和编程后Flash中读出数据
的校验和进行比较:如果相同,则编程成功;如果不相同,则编
程失败。需要注意的是,在对Flash进行编程的过程中,不能用CCS2.0中的“VIEW/MEMORY…”功能看Flash中的编程数据,这样会导致一会地址编程的失败。其C语言程序如下:
/*--------------------------------------------------------- -------------*/ /*入口参数:
start_address:所要校验的起始地址*/ /*size_in_byte:所要校验的Flash数据字节数*/ /*出口参数:lchecksum:校验和*/ /*----------------------------------------------------------------------*/
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intflash_checksum(intstart_address,intsize_in_byte){ inti; intlchecksum;
unsignedvolatilechar*flash_ptr=(unsignedvolatilechar*) start_address; inttemp; i=0;
lchecksum=0; while(i<size_in_byte-
4){ temp=*flash_ptr++; temp&;=0xff; lchecksum=lchecksum+temp; i++; } returnlchecksum; } (2)编程原理基本原理是:在仿真状态下,在PC机上运行DSP编程软件,由运行的DSP通过JTAG口从PC机上读入待编程的十六进制数据文件,由DSP将其写入到其外部Flash中,即完成用户数据文件的烧写工作。4编程数据的读入及编程编程时,由DSP程序从终端仿真计算机上打开要编程的十六进制文件,从十六进制文件中依次读入编程数据,并由DSP将其写入到其外部Flash
中,程序段如下:
while(data_flag=0){ display_count++;
if(display_count==DISPLAY_SIZE){ display_count=0; /*printf(".");*/ }
for(i=0;i<FLASH_WRITE_SIZE;i++){ j=fscanf(hex_f p,“%x”,&;data);/*从文件中读入编程数据,每次取一个字节*/ if(j==EOF||j==0){ data_flag=1;
break; } host_buffer[i]=data;
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checksum+=data; flash_addr+=1;
if(falsh_addr>0x90020001){ printf("ERROR:beyond validflashaddress!"); } } //写入
Flash ptr=(unsignedvolatilechar*)(flash_addr-0x80); if(data_flasg==0){ length=FLASH_WRITE_SIXZE;
flash_page_prog(host_buffer,ptr,length);
printf("Programmingaddress:%x",flash_addr-0x
80); } } 注意:所采用的十六进制文件
应使用“Hex6x.exe”命令,并在hex.cmd命令文件中使用“-a”
参数生成的文件;指定的存储器长度必须能被128整数(len参数能被128整除)。因为AT29LV010A以扇区为操作单位,每个扇区
为128字节,共1024个扇区,其格式如下:…
-maphex.map -a -image -zero -memwidth8 ROMS
{ FLASH:org=0x90000000,len=0x20000,romwidth=8,file
s={test.hex} } …5仿真运行
将上述程序组成一个完整的程序,经过编译、链接
(Project/Build命令)后,使用“File/LoadProgram...”将编
程代码Load到DSP中,运行程序,经过几分种后即编程完毕。
结语对DSP外部Flash编程虽不是一项关键技术,但它
在整个DSP嵌入式系统开发中却有着至关重要的作用。如果开发
者在设计之初就掌握了这项技术,就会大大方便系统的调试,缩
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短开发时间。由于篇幅所限,本文仅给出部分核心程序代码,读者可利用上述代码编写一个完整的程序。
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