常用半导体器件复习题

更新时间:2023-11-28 13:40:01 阅读量: 教育文库 文档下载

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第1章 常用半导体器件

一、判断题(正确打“√”,错误打“×”,每题1分)

1.在N型半导体中,如果掺入足够量的三价元素,可将其改型成为P型半导体。( ) 2.在N型半导体中,由于多数载流子是自由电子,所以N型半导体带负电。( ) 3.本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体。( ) 4.PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( )

5.使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏,且集电结也是正偏。( ) 6.晶体三极管的β值,在任何电路中都是越大越好。( ) 7.模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。( ) 8.稳压二极管正常工作时,应为正向导体状态。( ) 9.发光二极管不论外加正向电压或反向电压均可发光。( ) 10.光电二极管外加合适的正向电压时,可以正常发光。( ) 一、判断题答案:(每题1分) 1.√ ; 2.× ; 3.√; 4.√ ; 5.× ; 6.× ; 7.√ ; 8.×; 9.×; 10.×。

二、填空题(每题1分)

1.N型半导体中的多数载流子是电子,P型半导体中的多数载流子是 。 2.由于浓度不同而产生的电荷运动称为 。

3.晶体二极管的核心部件是一个 ,它具有单向导电性。

4.二极管的单向导电性表现为:外加正向电压时 ,外加反向电压时截止。 5.三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置,集电结 偏置。 6.场效应管与晶体三极管各电极的对应关系是:场效应管的栅极G对应晶体三极管的基

1

极b,源极S对应晶体三极管 ,漏极D对应晶体三极管的集电极c。 7.PN结加正向电压时,空间电荷区将 。 8.稳压二极管正常工作时,在稳压管两端加上一定的 电压,并且在其电路中串联一支限流电阻,在一定电流范围内表现出稳压特性,且能保证其正常可靠地工作。 9.晶体三极管三个电极的电流I、I、I的关系为: 。

E

B

C

10.发光二极管的发光颜色决定于所用的 ,目前有红、绿、蓝、黄、橙等颜色 。 二、填空题答案:(每题1分) 1.空穴 2.扩散运动 3.PN结 4.导通 5.反向 6.发射机e 7.变薄 8.反向 9.I=I+IE

B

C

10.材料

三、单项选择题(将正确的答案题号及内容一起填入横线上,每题1分)

1.在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,加入三价元素可形成P型半导体。

A、五价 B、四价 C、三价 D、二价

2.在本征半导体材料中,有目的的掺入杂质后,改变了 。 A、多子的浓度 B、少子的浓度 C、半导体的体积 D、PN结的导电性能 3.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 。 A、增大 B、不变 C、减小 D、为零

4.设二极管导通电压UD=0.7V,图示电路的输出电压值U0为 。

A、0V B、2V C、1.3V D、-1.3V

5.晶体二极管具有 。

A、单向导电性 B、双向导电性 C、对信号有放大作用 D、负载特性

2

6.要使发光二极管正常发光,其两端需外加: 。 A、正向电压 B、反向电压 C、 正、反向电压均可 D、零偏置电压 7.稳压二极管一旦被反向硬击穿,将 。

A、保持原导电性能不变 B、绝对不能再使用 C、性能变坏,可以继续使用 D、对原电路没有影响

8.工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为 。

A、83 B、91 C、100 D、1000 9.极限参数是为了晶体管安全工作对它的电压、电流和功率损耗的限制,属于晶体管极限参数的为 。

A、共射极电流放大倍数β值 B、特征频率fT C、最大集电极耗散功率PCM D、静态工作点的电压值

10.图示电路中VB=0V,二极管的管压降可以不计,当VA 由0V跳到3V后,Y的电位应为 。 A、3V B、0V C、12V D、没法确定

三、单项选择题答案:(每题1分) 1.A、五价

2. A、多子的浓度 3. A、增大 4. A、0V 5. A、单向导电性 6. A、正向电压 7. B、绝对不能再使用 8. C、100

9.C、最大集电极耗散功率PCM 10.B、0V

四、简答题(每题5分)

1. 怎样由本征半导体得到P型半导体? 2. 怎样由本征半导体得到N型半导体?

3

3V 0V D1 A D2 B +VCC(+5V) R Y 3. 硅三极管BE结的导通电压为多少伏? 4. 锗三极管BE结的导通电压为多少伏? 5. 二极管的主要参数有哪些?

6. 为什么半导体器件的温度稳定性差?是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素? 四、简答题答案:(每题5分)

1. 答:在本征半导体中掺入三价元素(如硼)可得到P型半导体。 2. 答:在本征半导体中掺入五价元素(如磷)可得到N型半导体。 3. 答:硅三极管BE结的导通电压为0.5~0.7伏。 4. 锗三极管BE结的导通电压为0.2~0.3伏。

5. 答:二极管的主要参数有:①最大整流电流I;②最高反向工作电压U;③最大瞬时

F

R

值反向电流 I;④最高工作频率f。

R

M

6. 答:因为在把半导体中存在两种运载电荷的粒子,即载流子。外加电场时,带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电,且运动方向相反。由于载流子数目很少,故导电性很差。温度升高,热运动加剧,本证激发加剧,使少数载流子浓度增大,但掺杂浓度不变,相对增加较多的是少数载流子,使导电性增强,产生较大的噪声。所以少子是影响温度稳定性的主要因素。 五、画图题(每题5分)

1. 电路如图所示,设二极管正向导通时的电压可忽略不计,已知ui=10sinωt(v),试画出ui 与uo的波形(注意时间坐标的对应关系)。

2. 电路如图所示,已知ui=5sinωt (V),二极管导通电压UD=0.7V。试画出ui与uo的波形,并标出幅值(注意时间坐标的对应关系)。

4

3. 现测得某放大电路中两只三极管的两个电极的电流如图所示。分别求另一电极的电流,标出其实际方向,并在圆圈中画出管子符号。

4. 测得某放大电路中六只晶体管的各电极直流电位分别如图所示,这些管子均处于放大状态。在圆圈中画出管子符号,并分别说明它们是硅管还是锗管。

五、画图题答案:(每题5分)

1. 解:①根据 ui的表达式ui=10sinωt(v),可画出输入信号波形如图中的ui 所示;

②ui正半周期时二极管正向偏置而导通,又因二极管正向导通时的电压可忽略不

计,所以uo=ui 。ui 负半周期时二极管因反向偏置而截止,回路中无电流,所以输出电压uo=0。

③画出ui与uo的对应波形如图所示。

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本文来源:https://www.bwwdw.com/article/ef1t.html

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