桂林电子科技大学模电试卷3

更新时间：2023-10-05 11:05:01 阅读量：综合文库文档下载

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B01-27、28、29模拟电子技术试题1

一、选择填空（30分）

1．本征半导体电子浓度（）空穴浓度；N型半导体的电子浓度（）空穴浓度；P型半导体的电子浓度（）空穴浓度。

a：大于；b：小于；c：等于。

2．场效应管属于（）控制型器件，晶体三极管则属于（）控制器件。 a：电压；b：电流；c：电感；d：电容。

3．晶体三极管工作在放大状态时，应使发射结（）偏置；集电结（）偏置。 a：正向；b：反向；c：零向；d：随便。

4．二极管的最主要特性是（），它的两个主要参数是反映正向特性的（）和反映反向特性的（）。

a：单向导电性； b：平均整流电流；c：反向工作电压。

5．一晶体管的极限参数：PCM=150mW，ICM=100mA，U（BR）CEO=30V。若它的工作电压UCE=10V，则工作电流IC不得超过（）mA；若工作电压UCE==1V，则工作电流Ic不得超过（）mA；若工作电流Ic=1mA，则工作电压UCE不得超过（）V。

a ：15； b ：100； c： 30； d： 150。

6．并联反馈的反馈量以（）形式馈入输入回路，和输入（）相比较而产生净输入量。 a:电压 b:电流 c:电压或电流

7．正弦波振荡器的振荡频率由（）而定。 a:基本放大器 b:反馈网络 c:选频网络

8．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。 a：杂质浓度；b：温度；c：输入；d：电压。

9．单相桥式整流电容滤波电路中，若U2=10V，则UO=（）V，若负载流过电流IO，则每只整流管中电流ID为（），承受最高反向电压为（）。 a：9V b：10v c：12V d：IO e：IO/2 f：IO/4 g：U2 h：2U2 L：2U2。 10．电压负反馈可稳定输出（），串联负反馈可使（）提高。 a：电压 b：电流 c：输入电阻 d：输出电阻 11．稳压管构成的稳压电路，其接法是（）。 a:稳压二极管与负载电阻串联 b:稳压二极管与负载电阻并联。 C:限流电阻与稳压二极管串联后，负载电阻再与稳压二极管并联

12．共模抑制比KCMR是（）之比。

a：差模输入信号与共模成分 b：输出量中差模成分与共模成分 c：差模放大倍数与共模放大倍数（绝对值）。

13．输入失调电压UIO 是（）。

a：两个输入端电压之差 b：输入端都为零时的输出电压 c：输出端为零时输入端的等效补偿电压。

14．抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（）电路。 a：差放；b：正弦；c：数字

15．正弦波振荡电路的振荡条件是（）。

a：AF=1 b：AF=-1 c：AF>1

16．产生低频正弦波一般可用（）振荡电路；产生高频正弦波可用（）振荡电路；要求频率稳定性很高，则可用（）振荡电路。 a：石英晶体；b ：LC；c ：RC。

二、判断（6分）

1．判断下面电路中RF1和RF2引入的是何种反馈类型？（6分）

三、分析题（15分）

1．已知电路如图，ui =10sin?t v,Ε=5v,二极管正向导通电压忽略不计，试画出输出电压uo的波形。（5分）