倒装芯片(FC,Flip-Chip)装配技术

更新时间:2024-05-03 09:27:01 阅读量: 综合文库 文档下载

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摘要:倒装芯片在产品成本,性能及满足高密度封装等方面 体现出优势,它的应用也渐渐成为主流。由于

倒装芯片的 尺寸小,要保证高精度高产量高重复性,这给我们传统的 设备及工艺带来了挑战。 器件的小型化高密度封装形式越来越多,如多模块封装( MCM )、系统封装( SiP )、倒装芯 片( FC , Flip-Chip )等应用得越来越多。这些 技术的出现更加模糊了一级封装与二级装配之间的界线。毋庸置疑,随着小型化高密度封装的出现,对高速与高精度装 配的要求变得更加关键,相关的组装设备和工

艺也更具先进性与高灵活性。

由于倒装芯片比 BGA 或 CSP 具有更小的外形尺寸、更小的球径和球间距、它对植球工艺、基板技术、

材料的兼容性、制造工艺,以及检查设备和方法提出了前所未有的挑战。

倒装芯片的发展历史 倒装芯片的定义

什么器件被称为倒装芯片?一般来说,这类器件具备 以下特点: 1. 基材是硅;

2. 电气面及焊凸在器件下表面;

3. 球间距一般为 4-14mil 、球径为 2.5-8mil 、外形尺寸为 1 -27mm ; 4. 组装在基板上后需要做底部填充。

其实,倒装芯片之所以被称为“倒装”,是相对于传统的金属线键合连接方式(Wire Bonding)与植球后的工艺而言的。传统的通过金属线键合与基板连接的芯片电气面朝 上(图1),而倒装芯片的电气面朝下(图2),相当于将 前者翻转过来,故称其为“倒装芯片”。在圆片(Wafer) 上芯片植完球后(图3),

需要将其翻转,送入贴片机,便于贴装,也由于这一翻转过程,而被称为“倒装芯片”。

图1

图2

图3

倒装芯片的历史及其应用

倒装芯片在1964年开始出现,1969年由IBM发明了倒 装芯片的C4工艺(Controlled Collapse Chip Connection, 可控坍塌芯片联接)。过去只是比较少量的特殊应用,近 几年倒装芯片已经成为高性能封装的互连方法,它的应用 得到比较广泛快速的发展。目前倒装芯片主要应用在Wi- Fi、SiP、M

CM、图像传感器、微处理器、硬盘驱动器、医用传感器,以及RFID等方面(图5)。

图4

图5

与此同时,它已经成为小型I/O应用有效的互连解决方案。随着微型化及人们已 接受SiP,倒装芯片被视为各种针脚数量低的应用的首选方法。从整体上看,其在低端应用和高端应用中的采用,根 据TechSearch International Inc对市场容量的预计,焊球凸点倒装芯片的年复合增长率(CAGR)将达到

31%。

倒装芯片应用的直接驱动力来自于其优良的电气性能,以及市场对终端产品尺寸和成本的要求。在功率及电 信号的分配,降低信号噪音方面表现出色,同时又能满足高密度封装或装配的要求。可以预见,

其应用会越来越广泛。 倒装芯片的组装工艺流程 一般的混合组装工艺流程

在半导体后端组装工厂中,现在有两种模块组装方法。在两次回流焊工艺中,先在单独的SMT生产线上组装SMT器件,该生产线由丝网印刷机、贴片机和第一个回 流焊炉组成。然后再通过第二条生产线处理部分组装的模块,该生产线由倒装芯片贴片机和回流焊炉组成。底部填 充工艺在专用底部填充生

产线中完成,或与倒装芯片生产线结合完成。

图6

倒装芯片的装配工艺流程介绍

相对于其它的IC器件,如BGA、CSP等,倒装芯片 装配工艺有其特殊性,该工艺引入了助焊剂工艺和底部填充工艺。因为助焊剂残留物(对可靠性的影响)及桥连的 危险,将倒装芯片贴装于锡膏上不是一种可采用的装配方法。业内推出了无需清洁的助焊剂,芯片浸蘸助焊剂工艺成为广泛使用的助焊技术。目前主要的替代方法是使用免洗助焊剂,将器件浸蘸在助焊剂薄膜里让器件焊球蘸取一 定量的助焊剂,再将器件贴装在基板上,然后回流焊接;或者将助焊剂预先施加在基板上,再贴装器件与回流焊 接。助焊

剂在回流之前起到固定器件的作用,回流过程中起到润湿焊接表面增强可焊性的作用。 倒装芯片焊接完成后,需要在器件底部和基板之间填充一种胶(一般为环氧树酯材料)。底部

填充分为于“毛细流动原理”的流动性和非流动性(No-follow)底部填充。

上述倒装芯片组装工艺是针对C4器件(器件焊凸材料为SnPb、SnAg、SnCu或SnAgCu)而言。另外一种工艺是 利用各向异性导电胶(ACF)来装配倒装芯片。预先在基板上施加异性导电胶,贴片头用较高压力将器件贴装在基板 上,同时对器件加热,使导电胶固化。该工艺要求贴片机具有非常高的精度,同时贴片头具有大压力及加热功能。 对于非C4器件(其焊凸材料为Au或其它)的装配,趋向采用此工艺。这里,我们主要讨论C4工艺,下表列出的是倒装芯片植球(Bumping)和在基板上连接的几种

方式。

倒装倒装芯片几何尺寸可以用一个“小”字来形容:焊球直径小(小到0.05mm),焊球间距小(小到0.1mm),外形尺寸小(1mm2)。要获得满意的装配良率,给贴装设备及其工艺带来了挑战,随着焊球直径的缩小,贴装精度要求越来越高,目前12μm甚至10μm的精度越来越常见。贴片设备照像机图形

处理能力也十分关键,小的球径小的球间距需要更高像素的像机来处理。

随着时间推移,高性能芯片的尺寸不断增大,焊凸(Solder Bump)数量不断提高,基板变得

越来越薄,为了提高产品可靠性底部填充成为必须。

图7

图8

对贴装压力控制的要求

考虑到倒装芯片基材是比较脆的硅,若在取料、助焊剂浸蘸过程中施以较大的压力容易将其压裂,同时细小的焊凸在此过程中也容易压变形,所以尽量使用比较低的贴装压力。一般要求在150g左右。

对于超薄形芯片,如0.3mm,有时甚至要求贴装压力控制在35g。

对贴装精度及稳定性的要求

对于球间距小到0.1mm的器件,需要怎样的贴装精度才能达到较高的良率?基板的翘曲变形,阻焊膜窗口的尺寸和位置偏差,以及机器的精度等,都会影响到最终的贴装精度。关于基板设计和制造的

情况对于贴装的影响,我们在此不作讨论,这里我们只是来讨论机器的贴装精度。

芯片装配工艺对贴装设备的要求

为了回答上面的问题,我们来建立一个简单的假设模型:

1.假设倒装芯片的焊凸为球形,基板上对应的焊盘为圆形,且具有相同的直径;

2.假设无基板翘曲变形及制造缺陷方面的影响;

3.不考虑Theta和冲击的影响;

4.在回流焊接过程中,器件具有自对中性,焊球与润湿面50%的接触在焊接过程中可以被“拉正”。 那么,基于以上的假设,直径25μm的焊球如果其对应的圆形焊盘的直径为50μm时,左右位置偏差(X轴)或 前后位置偏差(Y轴)在焊盘尺寸的50%,焊球都始终在焊盘上(图9)。对于焊球直径为25μm的倒装芯片,工艺能力Cpk要达到1.33的话,要求机器的最小精度必须达到12μm@3sigma。

图9

对照像机和影像处理技术的要求

要处理细小焊球间距的倒装芯片的影像,需要百万像素的数码像机。较高像素的数码像机有较高的放大倍率, 但是,像素越高视像区域(FOV)越小,这意味着大的器件可能需要多次“拍照”。照像机

的光源一般为发光二极 管,分为侧光源、前光源和轴向光源,并可以单独控制。倒装芯片的的成像光源采

用侧光、前光,或两者结合。

那么,对于给定器件如何选择像机呢?这主要依赖图 像的算法。譬如,区分一个焊球需要N个像素,则区分球间 距需要2N个像素。以环球仪器的贴片机上Magellan数码像机为例,其区分一个焊球需要4个像素,我们用来看不同的 焊球间隙所要求的最大的像素应该是多大,这便于我们根 据不同的器

件来选择相机,假设所有的影像是实际物体尺寸的75%。

倒装芯片基准点(Fiducial)的影像处理与普通基准 点相似。倒装芯片的贴装往往除整板基准点外(Global fiducial)会使用局部基准点(Local fiducial),此时的基 准点会较小(0.15-1.0mm),像机的选择参照上面的方 法。对于光源的选择需要斟酌,一般贴片头上的相机光源 都是红光,在处理柔性电路板上的基准点时效果很差,甚至找不到基准点,其原因是基准点表面(铜)的颜色和基 板颜色非常接近,

色差不明显。如果使用环球仪器的蓝色光源专利技术就很好的解决了此问题。

图10 吸嘴的选择

由于倒装芯片基材是硅,上表面非常平整光滑,最好选择头部是硬质塑料材料具多孔的ESD吸嘴。如果选择头部 为橡胶的吸嘴,随着橡胶的老化,在贴片过程中可能会粘连器件,造成贴片偏移或带走

器件。

对助焊剂应用单元的要求

助焊剂应用单元是控制助焊剂浸蘸工艺的重要部分, 其工作的基本原理就是要获得设定厚度的稳定的助焊剂薄 膜,以便于器件各焊球蘸取的助焊剂的量一致。 要精确稳定的控制助焊剂薄膜的厚度,

同时满足高速浸蘸的要求,该助焊剂应用单元必须满足以下要求: 1.可以满足多枚器件同时浸蘸助焊剂(如同时浸蘸4或7枚)提高产量;

2.助焊剂用单元应该简单、易操作、易控制、易清洁;

3.可以处理很广泛的助焊剂或锡膏,适合浸蘸工艺的 助焊剂粘度范围较宽,对于较稀和较粘的

助焊剂都 要能处理,而且获得的膜厚要均匀;

4.蘸取工艺可以精确控制,浸蘸的工艺参数因材料的不同而会有差异,所以浸蘸过程工艺参数必

须可以单独控制,如往下的加速度、压力、停留时间、向上的加速度等。

图11 对供料器的要求

要满足批量高速高良率的生产,供料技术也相当关键。倒装芯片的包装方式主要有这么几种:2×2或4×4英 JEDEC盘、200mm或300mm圆片盘(Wafer)、还有 卷带料盘(Reel)。对应的供料器有:固定式料盘供料器 (Stationary tray feeder),自动堆叠式送料器(Automated stackable feeder),

圆片供料器(Wafer feeder),以及带式供料器。

所有这些供料技术必须具有精确高速供料的能力,对于圆片供料器还要求其能处理多种器件包装方式,譬如: 器件包装可以是JEDEC盘、或裸片,甚至完成芯片在机器内完成翻转动作。

我们来举例说明几种供料器. Unovis的裸晶供料器(DDF Direct Die Feeder)特点:

·可用于混合电路或感应器、 多芯片模组、系统封装、RFID和3D装配

·圆片盘可以竖着进料、节省空间,一台机器可以安装多台DDF

·芯片可以在DDF内完成翻转

·可以安装在多种贴片平台上,如:环球仪器、西门子 、安必昂、富士

对板支撑及定位系统的要求

有些倒装芯片是应用在柔性电路板或薄型电路板上,这时候对基板的平整支撑非常关键。解决方案往往会用到 载板和真空吸附系统,以形成一个平整的支撑及精确的定位系统,满足以下要求:

1.基板Z方向的精确支撑控制,支撑高度编程调节;

2.提供客户化的板支撑界面; 3.完整的真空发生器; 4.可应用非标准及标准载板。

回流焊接及填料固化后的检查

对完成底部填充以后产品的检查有非破坏性检查和破坏性检查,非破坏性的检查有: ·利用光学显微镜进行外观检查,譬如检查填料在器件侧面爬升的情况,是否形成良好的边缘圆

角,器件表面是否有脏污等

·利用X射线检查仪检查焊点是否短路,开路,偏移,润湿情况,焊点内空洞等

·电气测试(导通测试),可以测试电气联结是否有 问题。对于一些采用菊花链设计的测试板,

通过通断测试还可以确定焊点失效的位置

·利用超声波扫描显微镜(C-SAM)检查底部填充后 其中是否有空洞、分层,流动是否完整 破坏性的检查可以对焊点或底部填料进行切片,结合光学显微镜,金相显微镜或电子扫描显微镜和能谱分析仪(SEM/EDX),检查焊点的微观结构,例如,微裂纹/微孔,锡结晶,金属间化合物,焊

接及润湿情况,底部填充 是否有空洞、裂纹、分层、流动是否完整等。

完成回流焊接及底部填充工艺后的产品常见缺陷有:焊点桥连/开路、焊点润湿不良、焊点空洞/气泡、焊点开裂/脆裂、底部填料和芯片分层和芯片破裂等。对于底部填充是否完整,填料内是否出现空洞,裂纹和分层现象,需要超声波扫描显微镜(C-SAM)或通过与芯片底面平行的 切片(Flat section)结合

显微镜才能观察到,这给检查此 类缺陷增加了难度。

本文来源:https://www.bwwdw.com/article/uzjg.html

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