半导体材料术语1

3.1 受主 acceptor

半导体中的一种杂质，她接受从价带激发的电子，形成空穴导电。 3.2 电阻率允许偏差 allowable resistivity tolerance

晶片中心点或晶锭断面中心点的电阻率与标称电阻率的最大允许差值，它可以用标称值的百分数来表示。

3.3 厚度允许偏差 allowable thickness tolerance

晶片的中心点厚度与标称值的最大允许差值。 3.4 各向异性 anisotropic

在不同的结晶学方向有不同物理特性。又称非各向同性，非均质性。

3.5 各向异性腐蚀anisotropic etch

沿着特定的结晶学方向，呈现腐蚀速率增强的一种选择性腐蚀。 3.6 退火 annealing

改变硅片特性的热过程。 3.7 退火片 annealing wafer

在惰性气氛或减压气氛下由于高温的作用在近表面形成一个无缺陷（COP）区得硅片。

3.8 脊形崩边 apex chip

从晶片边缘脱落的任何小块材料的区域。该区域至少含有2个清晰的内界面，而形成一条或多条清晰交叉线。 3.9 区域沾污 area contamination

在半导体晶片上，非有意地附加到晶片表面上的物质，它的线度远大于局部光散射体。区域沾污可以是由吸盘印，手指或手套印迹、污迹、腊或溶剂残留物等形成的晶片表面外来物质。 3.10 区域缺陷 area defect

无标准定义，参看延伸的光散射体（3.28.6） 3.11 氩气退火的硅片 argon annealed wafer

在氩气气氛下进行高温退火的硅片。 3.12 自掺杂 autodoping

源自衬底的掺杂剂掺入到外延层中。自掺杂源可来自衬底的背面、正面以及边缘、反应器中的其它衬片，基座或沉积系统的其它部分。 3.13 背封 backseal

在硅片背面覆盖一层二氧化硅或其它绝缘体得薄膜，以抑制硅片中主要掺杂剂向外扩散。

3.14 背面 backside

不推荐使用的术语。 3.15 背表面 back surface

半导体晶片的背表面，相对于在上面已经或将要制作半导体器件的暴露表面。

3.16 基底衬片 base silicon wafer

指SOI片，在绝缘层下面的硅片，支撑着上层的硅薄膜。 3.17 块状结构 block structure

参见包状结构（3.27）

3.18 键合界面 bonding interface

两种晶片之间的键合面。

3.19 键合硅片 bonding wafer

两个硅片键合在一起，中间有绝缘层，这种绝缘层是典型的热生长的二氧化硅。

3.20 弯曲度 bow

自由无夹持晶片中位面的中心点与中位面基准面间的偏离。中位面基准面是由指定的小于晶片标称直径的直径圆周上的三个等距离点决定的平面。 3.21 亮点 bright point

不推荐的术语。参见局部光散射体（LLS）（3.28.3）。 3.22 埋层 buried layer

外延层覆盖的扩散区，又称副扩散层或膜下扩散层。 3.23 埋层氧化物（硅）buried oxide

由氧注入形成的氧化物（氧化硅）层 3.24 埋层氧化(BOX) buried oxide layer

当绝缘层为二氧化硅时，硅片中间的绝缘层。 3.25 载流子浓度 carrier density

单位体积的载流子数目。在室温无补偿存在的条件下等于电离杂质的浓度。空穴浓度的符号为p，电子浓度的符号为n。

3.26 半导体材料中的载流子 carrier，in semiconductor materials

一种能能携带电荷通过固体的载体。例如，半导体中价带的空穴和导带的电子，又称荷电载流子。

3.27 胞状结构 cell structure

来源于晶体生长过程中不匀一性的畸变，也理解为块状结构。 3.28 晶片的表面检查 check of wafer surface

3.28.1 扫描表面检测系统（SSIS）scanning surface inspection system 用于晶片整个质量区的快速检查设备。可探测局部光散射体、雾等。也叫颗粒计数器（particle counter）或激光表面扫描仪（laser surface scanner） 3.28.2 激光光散射现象 laser light-scattering event 一个超出预置阀值的信号脉冲，该信号是由探测器接收到得激光束与晶片表面局部光散射体相互作用产生的。

3.28.3 局部光散射体（LLS） localized light-scatter 一种独立的特性，例如晶片表面上的颗粒或蚀坑相对于晶片表面的光散射强度，导致散射轻度增加。有时称光点缺陷。尺寸足够的光散射体在高强度光照射下呈现为光点，这些可目视观测到。但这种观察是定性的。观测局部光散射体用自动检测技术，如激光散射作用，在能够区分不同散射强度的散射物这一意义上，自动检测技术是定量的。LLS的存在也未必降低晶片的实用性。 3.28.4 光点缺陷（LPD） light point defect

不推荐的术语，参见局部光散射体（LLS）(3.28.3)。

注2：LPD是通用的术语，它包括类似乳胶球和其他可检测到得表面不平整性。

3.28.5 乳胶球当量（LSE） latex sphere equivalence

用一个乳胶球的直径来表示一个局部光散射体（LLS）的尺寸单位，该乳胶球与局部光散射体（LLS）具有相同的光射量。用“LSE”加到使用的长度单位来表示，例如0.2μmLSE。

3.28.6 延伸光散射体（XLS） extended light scatter

一种大于检查设备空间分辨率的特性，在晶片表面上或内部，导致相对于周围晶片来说增加了光散射强度，有时称为面缺陷。 3.29 半导体工艺中的化学-机械抛光（CMP） chem-mechanical planarization, in semiconductor

利用化学和机械作用去除晶片表面物质，为后续工艺提供镜状表面的一种工艺。

3.30 化学气象沉积（CVD） chemical vapor deposition

半导体工艺的化学气象沉积是一个工艺过程，其控制化学反应制成一个表面薄膜。

3.31 崩边（边缘崩边，周边崩边，周圆缺口，表面崩边） chip（edge chips，peripheral chips，peripheral indents，surface chips）

晶片表面或边缘非有意地造成脱落材料的区域。某些崩边是在晶片加工、测量或检测时，因传递或放置样品等操作引起的。崩边的尺寸由样品的外形的正投影图上所测量的最大径向深度和圆周弦长确定。 3.32 夹痕 chuck mark

由机器手、吸盘或条形码读入器引起的晶片表面上的任一物理痕迹。 3.33 解里面 cleavage plane

一种结晶学上优先断裂的晶面。 3.34 补偿 compensation

除去主掺杂剂浓度的杂质以外的杂质存在引起自由载流子数量的减少。 3.35 补偿掺杂 compensation doping

向P型半导体中掺入施主杂质或向N型半导体中掺入受主杂质，以达到反型杂质电学性能相互补偿的目的。

3.36 化合物半导体 compound semiconductor

由两种或两种以上的元素化合而成的半导体。如砷化镓、磷化铟、碲化镉等。 3.37 浓度 concentration

混合物种少数组分的量对于多数组分的比。 3.38 电导率 conductivity

载流子在材料中流动难易的一种度量。符号为σ，单位为（Ω.cm）-1 3.39 导电类型 conductivity type

半导体材料中多数载流子的性质所决定的导电特性。 3.40 恒定组分区 constant composition region

AsGa(1-x) Px外延层中最后生长层的组分，该组分值按设定值保持不变，一般是磷的摩尔百分数，x=0.38

3.41 沾污 contaminant，particulate

参见LLS(3.28.3)。

3.42 晶体原生凹坑（COP） crystal originated pit

在晶体生长中引入的一个凹坑或一些小凹坑。当它们与硅片表面相交时，类似LLS。因为在使用SSIS观察时，在一些情况下它们的作用与颗粒类似，因此最初这种缺陷被称为晶体原生颗粒（crystal originated particulate）。总之，现代的SSIS一般能够从颗粒中区分出晶体原生凹坑。当晶体原生凹坑存在时，比偶面清洗或亮腐蚀常常会增大其被观察的尺寸和数量。 3.43 裂纹 crack

延伸到晶片表面的解里或断裂，其可能或许没有穿过晶片的整个厚度。

3.44 火山口（弹坑状） crater

平滑中心区域的具有不规则的封闭山脉状得表面结构。 3.45 新月状物 crescent

外延沉积后具有平行主轴的结构，其归因于硅衬底表平面的上面或下面的衬底缺陷，参见鱼尾状物（3.89） 3.46 鸦爪 crow’s foot

相交的裂纹，在{111}表面上呈类似乌鸦爪的“Y”图样，在{100}表面上呈“+”形的图样。 3.47 晶体 crystal

在三维空间中由原子、离子或分子以一周期性图形排列组成的固体。 3.48 晶体缺陷 crystal defect

偏离理想晶格点阵中原子有规则的排列。 3.49 晶体指数 crystal indices

见密勒指数（3.158）

3.50 结晶学表示法 crystallographic notation

用于标示晶体中晶面和晶向的密勒指数的一种符号体系。 晶面（ ），如（111） 晶面族{ }，如{111} 晶向[ ]，如[111] 晶向族< >，<111>

3.51 晶面 crystallographic plane

通过空间点阵中不在同一直线上的三个结点的平面。 3.52 切割 cutting

把半导体晶锭切成具有一定形状的工艺。 3.53 损伤 damage

单晶样品的晶格缺陷，是一种不可逆转的形变，它因室温下没有后续热处理的表面机械加工引起，像切割，磨削，滚圆，喷砂，以及撞击造成。 3.54 深能级杂质 deep-level impurity

一种化学元素，引入半导体中形成一个或多个能级，且它的能级多位于禁带的中央区域，这类杂质称深能级杂质。 3.55 掺杂浓度 density of dopant atoms

在一个掺杂半导体中，每单位体积中掺杂剂的数量。

在下列三种情况时：1）半导体没有补偿；2）掺杂原子仅仅是施主或受主之一的单一类型；3）掺杂原子100%被电离，载流子的浓度等于掺杂剂的原子浓度。

3.56 洁净区 denuded zone

在硅片的一个特定区域，通常仅仅位于硅片正表面之下，其中氧浓度下降到一个比较低的水平，导致体微缺陷密度（氧沉淀）减少。 3.57 耗尽层 depletion layer

可动载流子电荷密度不足以中和施主或受主的净固定电荷密度的区域，又称势垒区、阻挡层或空间电荷层。 3.58 耗尽层宽度 depletion width

临近金属-半导体接触的半导体中的一个区域的宽度，该区域内荷电载流子密度不够中和施主或受主的固定电荷密度。

3.59 直径 diameter

横穿圆片表面，通过晶片中心点且不与参考面或圆周上其它基准区相交的直线长度。

3.60 扩散层 diffused layer

采用固态扩散工艺，将杂质引入晶体，使单质近表面层形成相同或相反导电类型的区域。 3.61 凹坑dimple

晶片表面的一种浅凹陷，具有一个凹面，似球状的外形和倾斜的侧面。在适当的光照条件下，肉眼可见。在抛光初始阶段，晶片浮抛可能诱生这种表面结构。 3.62 污物 dirt

半导体晶片上的尘埃，表面污染物，不能用预检查溶剂清洗去除。 3.63 位错 dislocation

晶体中的一种线缺陷，它是晶体中已滑移与未滑移区之间边界构成的，或是以伯格斯回路闭合性破坏来表征的缺陷。 3.64 位错排 dislocation array

一种位错蚀坑的某一边排列在一条直线上位错组态。 3.65 位错密度 dislocation density

单位体积内位错线的长度（cm/cm3）。通常以晶体晶面单位面积上位错蚀坑的数目（个/cm2）来表示。

3.66 位错腐蚀坑dislocation etch pit 在晶体表面的位错应力区域，由择优腐蚀而产生的一种界限清晰、形状规则的腐蚀坑。

3.67 DI晶片 DI wafer

由硅多晶、二氧化硅和硅单晶区域组成的一种晶片。 3.68 施主 donor

半导体中一种杂质或不完整性，它向导带提供电子形成电子导电。 3.69 掺杂剂 dopant

一种化学元素，对元素半导体，通常为周期表中的Ⅲ族或Ⅴ族元素，以痕量掺入半导体晶体中，用以确定其导电类型和电阻率等。 3.70 掺杂条纹环 dopant striation rings

硅片表面上由于杂质浓度的局部变化呈现出的螺旋状特征。 3.71 掺杂 doping

将特定的杂质加入到半导体中，以控制电阻率等。 3.72 掺杂片 doping wafer

经工艺处理已变成含有附加结构，可进入器件加工工艺的半导体基片。 3.73 边缘凸起 edge crown

距晶片边缘3.2mm（1/8英寸）处得表面高度与晶片边缘处高度之间的差值。单位为μm。

3.74 边缘去除区域 edge exclusion area

晶片的合格质量区和晶片的实际周边之间的区域。该区域或随晶片实际尺寸而变化。

3.75 标称边缘去除（EE） edge exclusion nominal

对标称边缘尺寸硅片，指从合格质量区边界到晶片周边的距离。 3.76 边缘轮廓 edge profile

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