第六章 光检测器
更新时间:2023-05-10 04:46:01 阅读量: 实用文档 文档下载
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第六章 光检测器
第六章6.1
光检测器
光电检测器
6.2光信号
光电检测器的特性指标前置放大器 主放大器 均衡器 AGC电路 判决器 时钟提取 时钟提取 数据再生 再生码流
光检测器 偏压控制
前端
线性通道
数字光接收机
第六章 光检测器
6.1 光电检测器光电检测器能检测出入射在其上面的光功率,并完成光/电信号
的转换。对光检测器的基本要求是:① 在系统的工作波长上具有足够高的响应度,即对一定的入射 光功率,能够输出尽可能大的光电流;
② 具有足够快的响应速度,能够适用于高速或宽带系统;③ 具有尽可能低的噪声,以降低器件本身对信号的影响; ④ 具有良好的线性关系,以保证信号转换过程中的不失真; ⑤ 具有较小的体积、较长的工作寿命等。 目前常用的半导体光电检测器有两种,PIN光电二极管和APD 雪崩光电二极管。
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PN结
内建电场
VCC
耗尽层
当PN结两端加上反向偏置电压 时,耗尽区加宽,势垒加强。
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光电二极管的工作原理当光照射到光电二极管的光敏 面上时,能量大于或等于带隙 能量Eg的光子将激励价带上的 电子吸收光子的能量而跃迁到 导带上,可以产生自由电子空穴对(称为光生载流子)。 电子-空穴对在反向偏置的外 电场作用下立即分开并在结区 中向两端流动,从而在外电路 中形成电流(光电流)。
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6.1.1 PIN光电二极管由于受激吸收仅仅发生在PN结附近,远 离PN结的地方没有电场存在,因此就决 定 了 PN 光 电 二 极 管 ( PN Photodiode, PNPD)或PN光电检测器的光电变换效率 非常低下及响应速度很慢。
1. PIN光电二极管的结构PIN光电二极管(PINPD)的结构如图6.2所 示。
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耗尽区
图6.2 PIN光电二极管的结构
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PIN光电二极管是在掺杂浓度很高的P型、N型半导体之间,
加一层轻掺杂的N型材料,称为I(Intrinsic,本征的)层。由于是轻掺杂,电子浓度很低,经扩散后形成一个很宽的耗尽 层,如图6.3(a)所示。这样可以提高其响应速度和转换效
率。结构示意图如图6.3(b)所示。
图6.3 PIN光电二极管
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外加反向偏置电压的pin 光电二极管的 电路示意图
第六章 光检测器
pin 光电二极管的能带简图,能量大于或等于带隙能量Eg的光 子将激励价带上的电子吸收光子的能量而跃迁到导带上,可以 产生自由电子-空穴对(称为光生载流子)。耗尽区的高电场 使得电子-空穴对立即分开并在反向偏置的结区中向两端流动, 然后在边界处被吸收,从而在外电路中形成电流。
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Eg h hc Eg
图6.4 半导体材料的光电效应
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电子和空穴的扩散长度当电载流子在材料中流动时,一些电子-空穴对会重新复合而 消失,此时电子和空穴的平均流动距离分别为Ln和Lp,这个距 离即扩散长度
。
Ln Dn n
1/ 2
, Lp Dp p
1/ 2
其中Dn,Dp为电子和空穴的扩散系数,单位为cm2/s. n , p 为电子和空隙的重新复合所需要的时间(载流子寿命) 在半导体材料中光功率的吸收呈指数规律
P( x) P0 (1 e s ( ) x )其中 s ( ) 为波长 处的吸收系数,P0是入射光功率,P(x)是通 过距离x后所吸收的光功率。
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不同材料吸收系数与波长的关系特定的材料只能用于 某个截止波长范围内
材料的截止波长 c由 其带隙能量Eg决定。 若波长比截止波长更 长,则光子能量不足以激 励出一个光子。 此图还说明,同一个 材料对短波长的吸收很强 烈 ( s大) 。而且短波长激 发的载流子寿命较短,载 流子在光检测器电路收集 之前就已经复合了。
光吸收系数 (cm-1)
光子能量增大方向
光穿透深度 (mm)
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特定的半导体材料只能应用在有限的波长范围内,其上 限截止波长为:hc 1.24 c (mm) Eg Eg (eV )
例6.1 有一个光电二极管是由GaAs材料组成的,在300k时 其带隙能量为1.43eV,其截止波长为:hc 6.625 10 34 J .s 3 108 m / s c 869nm 19 Eg 1.43eV (1.6 10 J / eV )
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如果耗尽区宽度为w,在距离w内吸收光功率为:
P w p0 (1 e
s w
)
如二极管的入射表面反射系数为Rf,其初级光电流为:q Ip P0 (1 e s w )(1 R f ) hv
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6.1.2 雪崩光电二极管(APD) 1. 雪崩倍增原理APD可以对初级光电流进行内部放大, 以增加接收机的灵敏度。由于要实现电流 放大作用,光生载流子需要穿过很高的电 场,以获得很高的能量。光生载流子在其 耗尽区 ( 高场区 ) 内的碰撞电离效应激发出 新的电子-空穴对,新产生的载流子通过电 场加速,导致更多的碰撞电离产生,从而 获得光生电流的雪崩倍增。
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雪崩二极管 (APD)设计动机:在光生 电流尚未遇到后续 电路的热噪声时已 经在高电场的雪崩 区中得到放大,因 此有助于显著提高 接收机灵敏度高阻材料
耗尽区
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工作过程
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1. 雪崩光电二极管的结构常用的APD结构包括拉通型APD和保护环型APD。
图6.4 APD的结构
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拉通型雪崩光电二极管(RAPD)采用 p pn 结构,其结构 示意图和电场分布如图6.5所示。图6.5(a)所示的是纵向 剖面的结构示意图。图6.5(b)所示的是将纵向剖面顺时针 转90°的示意图。图6.5(c)所示的是它的电场强度随位置 变化的分布图。
图6.5 RAPD的结构图和能带示意图
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保护环型在制作时淀积一层环形N型材料,以防
止在高反压时使P-N结边缘产生雪崩击穿。APD随使用的材料不同有几种:Si-APD(工作在
短波长区);Ge-APD和InGaAs-APD(工作在长波长
区)等。
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6.2 光电检测器的特性指标6.2.1 光电检测器的工作特性1. 响应度在一定波长的光照射下,光电检测器的平均输出电流与入射 的平均光功率之比称为响应度 ( 或响应率 ) 。响应度可以表示 如下:
式中: Ip 为光生电流的平均值 ( 单位: A);P 为平均入射光功 率值(单位:W)。
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