第三章 存储系统

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一、选择

1、 设机器字长为32位,一个容量为16MB的存储器,CPU按半字寻址,其

可寻址的单元数是

2、 若某存储器存储周期为250ns,每次读出16位,则该存储器的数据传输

率是

3、 设机器字长为64位,存储容量为128MB,若按字编址,它可寻址的单元

个数是

4、 在Cache和主存构成的两级存储体系中,主存与Cache同时访问,Cache

的存取时间是100ns,主存的存取时间是1000ns,如果希望有效(平均)

存取时间不超过Cache存取时间的115%,则Cache的命中率至少应为 5、 某一SRAM芯片,其容量为1024×8位,除电源和接地端外,该芯片的引

脚的最小数目为

6、 某一DRAM芯片,采用地址复用技术,其容量为1024×8位,除电源和接

地端外,该芯片的引脚的最少数目为

7、 某存储器容量为32K×16位,则( )

8、 A.地址线为16根,数据线为32根

B. 地址线为32根,数据线为16根

C.址线线为15根,数据线为16根

D. 地址线为15根,数据线为32根

9、若RAM中每个存储单元为16位,则下面所述正确的是( )

A.地址线也是16根 B.地址线与16无关

C.地址线与16有关 D.地址线不得少于16根

10、下面有关DRAM和SRAM存储芯片的叙述,通常情况下,错误的是( )

A.DRAM芯片的集成度比SRAM高

B.DRAM芯片的成本比SRAM高

C.DRAM芯片的速度比SRAM快

D.DRAM芯片工作时需要刷新,SRAM芯片工作时不需要刷新

11、某SARM芯片,其存储容量为512×8位,包括电源端和接电线,该芯片

引出线的数目应为

12、在存储器芯片中,地址译码采用双译码方式是为了

13、在1K×1位的存储芯片中,采用双译码方式,译码器的输出信号有 条。

14、若存储周期为250ns,每次读出16位,则该存储器的数据传输率为 15、若数据在存储器中采用以低字节地址为字地址的存放方式,则十六进制 数12345678H的存储自己顺序按地址由小到大依次是 16、某计算机字长为32位,存储器容量为16MB,CPU按半字寻址,其可寻

址的单元数是

17、某计算机字长为32位,存储器容量为4MB,CPU按字寻址,其寻址范围

是0到

18、某计算机字长为16位,存储器容量为256KB,CPU按字节寻址,其寻址

范围是

19、某计算机字长为16位,存储器容量为256KB,CPU按字寻址,其寻址范

围是

20、某计算机字长为16位,存储器容量为64KB,CPU按字寻址,其可寻址得

单元数是

存储系统

1

21、某计算机字长为32位,存储器容量为256KB,CPU按字寻址,其可寻址

的单元数是

22、4个16K×8位的存储芯片,可设计为 容量的存储器。

23、16片2K×4位的存储器可以设计为 存储容量的16位存储器。 24、设CPU的地址总线有24根,数据总线有32根,用512K×8位的RAM芯

片构成该机的主存储器,则该机主存最多需要 片这样的存储芯片。

25、某计算机主存容量为64KB,其中ROM区为4KB,其余为RAM区,按字节编址,现要用2K×8位的ROM芯片和4K×4位的RAM芯片来设计该存储器,则需要上述规则的ROM芯片数和RAM芯片数分别是 26、某计算机存储器按字节编址,主存地址空间大小为64KB,现用4M×8位的RAM芯片组成32MB的主存储器,则存储器地址寄存器MAR的尾数至少是

27、用存储容量为16K×1位的存储器芯片来组成一个64K×8位的存储器,则在字方向上和位方向上分别扩展了 倍。

28、一个存储器,其地址为14位,每个存储单元长度为8位,若用1K×4位的SRAM芯片来组成该存储器,则需要 片芯片,选择芯片需要 位地址。

29、地址线为A15~A0(低),若用16K×1存储芯片构成64KB存储器则应由地址码 译码产生片选信号。

30、80386DX是32位系统,当在该系统中用8KB的存储芯片构造32KB的存储体时,应完成存储器的 设计。

31、设CPU地址线有24根,数据线有32根,用512K×8位的RAM芯片构成该机的主存储器,则该机主存最多需要 片这样的存储芯片。 32、地址总线为A0(高位)~A15(低位),用4K×4位的存储芯片组成16KB存储器,则产生片选信号的译码器的输入地址应该是

33、若内存地址区间为4000H~43FFH,每个存储单元可存储16位二进制数,

该内存区域用4片存储芯片构成,则构成该内存所用的存储器芯片的容量是

34、内存按字节编址,地址从90000H到CFFFFH,若用存储容量为16K×8位

芯片构成该内存,至少需要的芯片数是

35、若片选地址为111时,选定某一32K×16的存储芯片工作,则该芯片在

存储器中的首地址和末地址分别为

36、如图所示,若低位地址(A0~A11)接在内存芯片地址引脚上,高位地址

(A12~A19)进行片选移码(其中,A14和A16没有参加译码),且片选信号低电平有效,则对下图所示的译码电路,不属于此译码空间的地址是( )

A.AB00H~ABFFFH B.BB000H~BBFFFH C.EF000H~EFFFFH D.FE00H~FEFFFH 37、某机器采用四体低位交叉存储器,现分别执行下述操作:①读取6个连

续的地址单元中存放的存储字,重复80次;②读取8个连续地址单元中存放的存储字,重复60次。则①、②所花费的时间之比为

2

假定内存容量为4个页面,开始时是空的,则页面失效率是 40、某32位计算机的Cache容量为16KB,Cache行的大小为16B,若主存与

Cache地址映像采用直接映像方式,则主存地址为0x1234E8F8的单元装

入Cache的地址是

41、某存储系统中,主存容量是Cache的4096倍,Cache被分为64个块,当 主存地址和Cache地址采用直接映像方式,地址映射表的大小应为

(假设不考虑一致维护和替换算法位)

42、有效容量为128KB的Cache,每块16字节,采用8路组相联,字节地址

为1234567H的单元调入该Cache,则其Tag应为

43、有一主存—Cache层次的存储器,其主存容量为1MB,Cache容量为16KB, 每字块有8个字,每字32位,采用直接地址映射方式,若主存地址为35301H, 且CPU访问Cache命中,则在Cache的第 (十进制表示)字块中(Cache

起始字块为第0块)。

44、若由高速缓存、主存、硬盘构成的三级存储体系,则CPU访问该存储系

统时发送的地址为

45、为使虚拟存储系统有效地发挥其预期的作用,所运行的程序应具有良好

46、在虚拟存储器中,当程序正在执行时,由 完成地址映射。

47、采用虚拟存储系统的主要目的是

48、一个四体并行低位交叉存储器,每个模块的容量是64K×32位,存取周

期为200ns,在以下说法中, 是正确的。

A. 在200ns内,存储器能向CPU提供256位二进制信息

B. 在200ns内,存储器能向CPU提供128位二进制信息

C. 在50ns内,每个模块能向CPU提供32位二进制信息

D.都不对

49、采用四体并行低位交叉存储器,每个模块的容量满足32K×16位,存取

周期为400ns,在以下说法中, 是正确的。

A. 在0.1μs内,存储器能向CPU提供26位二进制信息

B. 在0.1μs内,存储器能向CPU提供16位二进制信息

C. 在0.4μs内,存储器能向CPU提供26位二进制信息

D.都不对

50、如果一个高速缓存系统中,主存容量为12MB,Cache的容量为400KB,

则该存储系统的总容量为 。

A.12MB+400KB B.12MB C.400KB D.12MB-400KB

51、组相联映像和全相联映像通常适合于 。

52、某32位计算机的Cache容量为16KB,若主存与Cache地址映射采用直接

映射方式,则主存地址0x1234E8F8的单元装入Cache的地址是 53、设有一个主存—Cache层次的存储器,其主存容量为1MB,Cache容量为 16KB,每字块有8个字,每字32位,采用直接映射方式。若主存地址为 35301H,且CPU访问Cache命中,设Cache起始字块编号为0,则该主存

块在Cache的第 个字块中。 38、在高速缓存系统中,主存容量为12MB,Cache容量为400KB,则该存储

系统的容量为

39、某虚拟存储器系统采用页式内存管理,试用LRU页面替换算法,考虑下

面的页面访问地址流(每次访问在一个时间单位中完成):

1 8 1 7 8 2 7 2 1 8 3 8 2 1 3 1 7 1 3 7

3

54、设有一个主存—Cache层次的存储器,假设Cache和主存不能同时访问。Cache的存取周期为10ns,主存的存取周期为50ns。在CPU执行一段程序时,Cache完成存取的次数4800次,主存完成的存取次数为200次,该Cache—主存系统的效率是 。

55、设有一个主存—Cache层次的存储器,假设Cache的存取周期为100ns,主存的存取时间为1000ns,如果希望有效平均存取时间不超过Cache存取时间的15%,则Cache的命中率至少是 。

56、若由高速缓存、主存、硬盘构成三级存储体系,则CPU访问该存储系统时发送的地址为 。

57、假设某计算机按字编址,Cache有4个行,Cache和主存之间交换的块大小为1个字。若Cache的内容初始为空,采用2路组相联映射方式和LRU替换算法,当访问的主存地址一次为0、4、8、2、0、6、8、6、4、8时,命中Cache的此时是 。(2012真题)

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二、综合应用题

1、有一个16K×16位的存储器,由1K×4位的动态SRAM芯片构成(芯片内是64×64结构),问: 1)总共需要多少RAM?

2)采用异步刷新方式,如果单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少?

3)若采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少个读/写周期?

2、某16K×1位的DRAM存储芯片的读/写周期Tm=0.1μs,如果芯片的最大刷新间隔不允许 超过2ms(1ms=103μs),否则可能丢失信息。问: 1)刷新周期是多少?将DRAM存储芯片刷新一遍需要多少个刷新周期? 2)若采用分散刷新方式,则刷新信号周期是多少?

3)若采用集中刷新方式,则将DRAM芯片刷新一遍需要多少时间?不能提供读写服务的百分比是多少?

3、假设存储芯片容量为mK×n位,回答以下问题:

1)采用位扩展,组成mK×N位的存储器,需要多少存储芯片?简述连线规则。

2)采用字扩展,组成MK×n位的存储器,需要多少存储芯片?简述连线规则。

3)采用字、位扩展,组成MK×N位的存储器,需要多少存储芯片?简述连线规则。

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4、设CPU的地址总线16根(A15~A0,A0为低位),双向数据总线8根(D7~D0),

控制总线中与主存有关的信号有MREQ(访存控制信号,低电平有效),

WE(高电平为读命令,低电平为写命令)。主存地址空间分配如下(均

按字节编址):

0000H~3FFFH为系统程序区,由只读存储芯片组成;

4000H~4FFFH为系统程序工作区,由SRAM组成;

6000H~9FFFH为用户程序区,也由SRAM组成。

现有如下存储芯片若干:

EPROM,8K×8位(控制端仅有CS)

SRAM,16K×1位,2K×8位,4K×8位,8K×8位

请从上述芯片值选择适当芯片设计该计算机主存储器。另外可选用门

电路和3/8译码器。

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5、设CPU有16根地址线,8根数据线,并用MREQ作为访存控制信号,用WE作为读/写控制信号(高电平为读,低电平为写)。现有以下存储芯片:1K×4位RAM、4K×8位RAM、8K×8位RAM、2K×8位ROM、4K×8位ROM、8K×8位ROM及3/8译码器和各种门电路。要求设计2KB的系统程序区,地址范围为6000H~67FFH,2KB的用户程序区,地

址范围6800H~6BFFH,给出CPU与存储器的连接图。 7

6、主存储器的地址寄存器和数据寄存器个子的作用是什么?设有一个1MB容量的存储器,字长为32位,问:

1)按字节编址,地址寄存器和数据寄存器各几位?编址范围为多大? 2)按字编址,地址寄存器和数据寄存器各几位?编址范围为多大?

7、如表所示的个存储器方案中,哪些是合理的?哪些不合理?对那些不合理的可以怎样修改? 存储器 ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ MRA的位数(存储器地址寄存器) 存储器 单元数 每个存储单元的位数(存储器数据寄存器) 10 10 8 12 8 1024 1024 1024 1024 1024 8 10 8 12 8 16 1024 8

8、用64K×1位的DRAM芯片组成512K×16位的半导体读写寄存器,则其数据寄存器为多少位?字选地址线宽至少应为多少位?共需要芯片多少片?

9、某主机存储器有16位地址,每个存储单元有占8位。回答以下问题: 1)如果用1K×4位的RAM芯片构成该存储器,需要多少片芯片? 2)该存储器能存放多少字节的信息? 3)片选逻辑需要多少位地址?

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12、某机器字长为8位,试用以下所给芯片设计一个容量为10KB的存储器, 其中RAM为高8KB,ROM为低2KB,最低地址为0.选用的RAM芯片类型

为4K×8位,ROM芯片类型为2K×4位。回答一下问题:

1)RAM和ROM的地址范围分别是多少?

2)每种芯片各需多少片?

3)存储器的地址线、数据线各为多少根?

4)画出存储器的结构图及与CPU连接的示意图。

10、用64K位的DRAM芯片构成256×8位的存储器,假定芯片内部只有一个位平面。回答以下问题: 1)计算所需芯片数;

2)采用异步刷新方式,如果每单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少?

3)如采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少读/写周期?

11、用若干个容量为L×K的DRAM芯片,构成容量为M×N的存储器。回答以下问题:

1)需要多少块存储芯片?

2)存储器共有多少个片选信号。如何来实现?需要几位译码器 3)若采用自动刷新模式,刷新计数器的最大值是多少?

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13、设有32片256K×1位的SRAM芯片。回答以下问题: 1)采用位扩展方法可以构成多大容量的存储器?

2)如果采用32位的字编址方式,该存储器需要多少地址线?

3)画出该存储器与CPU连接的结构图,设CPU的接口信号有地址信号、数据信号和控制信号MREQ、WE。

14、设有若干片256K×8位的SRAM芯片,回答以下问题:

1)采用字扩展方法构成2048KB的存储器需要多少片SRAM芯片? 2)该存储器需要多少地址线?

3)画出该存储器与CPU连接的结构图,设CPU的接口信号有地址信号、数据信号和控制信号MREQ、WE。

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15、设CPU共有16根地址线、8根数据线,并用MREQ作为访存控制信号(低电平有效),用WE作读写控制信号(高电平为读,低电平为写)。现有若干2K×8位的ROM、4K×8位的RAM,8K×8位的RAM、74138译码器和各种门电路(门电路自定)。回答以下问题: 1)存储芯片地址空间分配为:最大4K地址空间为系统程序区,相邻的地址空间为系统程序工作区,最小16K地址空间为用户程序区;给出主存地址空间分配情况; 2)指出选用的存储芯片类型及数量; 3)画出详细的存储器结构及与CPU连接图。

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16、设CPU共有16根地址线、8根数据线,并用MREQ作为访存控制信号(低电平有效),用WE作读写控制信号(高电平为读,低电平为写)。现有若干8K×8位的ROM、8K×8位的RAM,4K×8位的RAM、3/8译码器和各种门电路。画出CPU与存储器的连接图,要求主存的地址空间满足下述条件:最小8K地址为系统程序区、与其相邻的16K地址为用户程序区,最大4K地址空间为系统程序工作区。详细画出存储芯片的片选逻辑并指出存储芯片的种类及片数。

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17、用8K×4位的芯片组成16K×8位的存储器,RD、WR分别为系统提供的读写信号线,请画出该存储器逻辑图,并标明每块芯片的地址范围。

18、某机主存空间为64KB,I/O空间与主存单元统一编址,I/O空间占用1KB, 范围为FC00H~FFFFH。可选用8K×8位和1K×8位两种SRAM芯片构成主 存储器。RD和WR分别为系统提供的读写信号线。画出该存储器逻辑图,

并标明每块芯片的地址范围。

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19、用16K×1位的动态RAM芯片构成62K×8位的存储器,要求: 1)画出该存储器的组成逻辑框图;

2)设存储器的读写周期均为0.5μs,CPU在1μs内至少要访问内存一次。试问采用哪种刷新方式比较合理?两次刷新的最大时间间隔是多少?对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少?

20、用16K×8位的DRAM芯片构成64K×32位的存储器,要求: 1)画出该存储器的组成逻辑框图;

2)设存储器读写周期为0.5μs,CPU在1μs内至少要访问内存一次。试问采用哪种刷新方式比较合理?两次刷新的最大时间间隔是多少?对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少?

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21、某个两级存储系统的平均访问时间为12ns,该存储系统中顶层存储器的命中率为90%,访问时间是5ns,问:该存储器系统中底层存储器的访问时间是多少?(假设采用同时访问两层存储器的方式)?

22、CPU执行一段程序时,Cache完成存取的次数为1900次,主存完成存取的次数为100次,已知Cache存取周期为50ns,主存存取周期为250ns。设主存与Cache同时访问,试问:

1)Cache/主存系统的效率。 2)平均访问时间。

23、在显示配置器中,用于存放显示信息的存储器称为刷新存储器,它的重要性能指标是带宽。具体工作中,显示适配器的多个功能部分要争用刷新存储器的带宽。设总带宽50%用于刷新屏幕,保留50%带宽用于其他刷新功能,且采用分辨率为1024×768像素,颜色深度为3B,刷新频率为72Hz的工作方式。

1)计算刷新存储器的总带宽;

2)为达到这样高的刷新存储器带宽,应采取何种技术措施?

24、一个1K×4为的动态RAM芯片,若其内部结构排列成64×64形式,且存取周期为0.1μs。

1)若采用分散刷新和集中刷新(即异步刷新)相结合的方式,刷新信号周期应取多少?

2)若采用集中刷新,则对该存储芯片刷新一遍需多少时间?死时间率是多少?

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25,用一个512KB×8位的Flash存储芯片组成一个4M×32位的半导体只读存储器,存储器按字编址,试回答以下问题: 1) 该存储器的数据线和地址线数分别是多少? 2) 共需要几片这样的存储芯片? 3) 说明每根地址线的作用

26、一个四体并行交叉存储器,每块容量是64K×32位,存取周期为200ns,

问:

1)在一个存取周期中,存储器能向CPU提供多少位二进制信息?

2)若存取周期为400ns,则在0.1μs内每个存储体可向CPU提供32位二进制

信息,这说法正确否?为什么?

27、某个Cache的容量大小为64KB,行长为128M,且是四路组相联Cache,

主存使用32位地址,按字节编址。则:

1)该Cache共有多少行?

2)该Cache的标记阵列中需要有多少标记项?每个标记项中标记位长度是多

少?

3)该Cache采用LRU替换算法,若该Cache为写直达式Cache时,标记阵列 中总共需要多大的存储容量?写回式又该如何?(提示:四路组相联Cache

使用LRU算法的替换算法控制位为2位)

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28、某一个计算机系统采用虚拟页式存储管理方式,当前在处理机上执行的某一个进程的页表如下图,所有的数字均为十进制,每一项的起始编号是0,并且所有的地址均按字节编址,每页大小为1024字节。 逻辑页号 存在位 引用位 修改位 叶框号 1) 将下列逻辑地址转换为物理地址,写出计算过程,对不能计算的说明为什

么?

2) 假设程序要访问第二页,页面置换算法为改进的Clock算法,请问该淘汰

哪页?页表如何修改?上述地址的转化结果是否改变?变成多少?

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29、一个两级存储器系统有8个磁盘上的虚拟页面需要映像到主存中的4个页中。某程序生成以下访存页面序列:1,0,2,2,1,7,6,7,0,1,2,0,3,0,4,5,1,5,2,4,5,6,7,6,7,2,4,2,7,3。采用 LRU替换策略,设初始时主存为空。

1)画出每个页号访问请求之后存放在主存中的位置; 2)计算主存的命中率。

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30、设存储器容量为32字,字长64位,模块数m=4,分别用顺序方式和交

叉方式组织。存储周期T=200ns,数据总线宽度为64位,总线传送周期 =50ns。求顺序存储器和交叉存储器的带宽各是多少?

31、设有8个模块组成的八体存储结构,每个模块的存取周期为400ns,存储字长为32位。数据总线宽度为32位,总线传输周期为50ns,求顺序存储(高位交叉)和交叉存储(低位交叉)的存储带宽。

32、若低位交叉的8体并行主存按字节编址,每个模块的读写宽度为两个字节,请图示8体交叉并行主存的编址情况,若每个模块的读写周期均为250ns,求8体交叉并行主存的带宽。若读操作所涉及的8个单元地址为下列两种情况,试分别计算这两种情况时8体交叉并行主存的实际带宽。 1)8880H,8881H,8882H,8883H,8884H,8885H,8886H,8887H 2)8880H,8884H,8888H,888CH,8890H,8894H,8898H,889CH 33、有一个整数型数组a[16],存储在4体交叉的存储器中的存储位置如图所示,CPU每隔1/4存储周期启动一个访问操作,问依次完成这16个字需要多少个存储周期?

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34、假设Cache中有4个块,采用全相联映射方式和LRU替换算法。程序

访存的块流地址流为1、5、7、1、B、3、7、1、B、1、4、B。问Cache命中多少次1。

35、CPU执行一段程序时,Cache完成存取的次数为5000次,主存完成的

存取次数为200次。已知Cache的存取周期tc为40ns,主存的存取周期为tm为160ns,分别求(当Cache不命中时才启动主存): 1)Cache的命中率h; 2)平均访问时间;

3)Cache—主存访问系统的访问效率e。

36、已知Cache命中率h=0.98,主存比Cache慢4倍,已知主存存取周期

为200ns,求Cache—主存刺探的效率和平均访问时间。

37、已知Cache—主存系统效率为85%,平均访问时间为60ns,Cache比

主存快4倍,求主存存储器周期是多少?Cache命中率是多少?

38、假设机器周期为10ns,Cache的访问时间为1个周期,主存访问时间

是20个周期,回答以下问题:

1)设命中率为95%,求平均访问时间;

2)如果Cache容量增加一倍而使命中率提高到97%,然而因此使机器周期延长到12ns,这样的改动方案是否值得采取?

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本文来源:https://www.bwwdw.com/article/pv0w.html

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